本课题由浙江大学、上汽大众&上汽-英飞凌&联合电子联合承担。

2021年10月21日，基金会秘书处组织协调浙江大学、上汽大众、上汽-英飞凌、联合电子、以及上汽技术中心、上汽商用车技术中心、上海捷能公司、泛亚技术中心共22名人员，通过腾讯视频会议方式，围绕《电机控制器IGBT寿命模型研究》（1924）课题进行了阶段性（中期）研究成果汇报（技术交流）会。

课题组针对SI基IGBT，通过对样品研磨抛光横切处理采用电子扫描观察发现：除了典型的健合线脱落、金属层开裂的失效模式以外，还易发生由大电流密度引起的键合线萌纹/金属层小丘/晶须等非典型失效模式，且电控IGBT的非典型失效易出现在绑定线的一侧位置，说明单芯片存在应力不均衡现象；利用所开发的应力疲劳分析工具，重现了芯片表面热分布不均衡现象，通过建立计及键合线的精细化元胞电路模型，揭示了芯片温度应力由绑定线电流密度不均与芯片元胞热流不均共同引起的本质规律；提出了叠层绑定线布局新结构，实现了芯片热/电流不均衡的抑制，实验表明：绑定线电流密度降低了57.7%，芯片最高温度降低了17.4%；课题组还研究提出了含器件动态热力学行为的电驱传动系统仿真模型，为企业电控全寿命评估提供了工具链。

达到中期预期目标。

功率半导体器件的寿命建模流程图